環保署於112年5月4日修正發布「半導體製造業空氣污染管制及排放標準」（以下簡稱本標準），以「務實、自主及精準管理」三項原則，增訂新設製程排放標準、改變全廠總排放量管制為個別排放管道濃度管制、強化自主監測及簡化定期檢測、修正目前管制上遭遇之問題，以促使新建廠房或新設製程選擇污染排放較低或防制效能較佳之設備，提高業者自主管理誘因，兼顧產業發展與空污防制，落實空氣污染排放精準管理。
環保署表示，半導體製造業為我國重要產業，不僅發展蓬勃，且具有變動快速之特性，故關注其衍生之環境保護課題更顯其重要性。為減少空氣污染物排放，提高業者自主管理作業之便利性，本標準修正過去不分規模以全廠揮發性有機物(VOCs)總排放量不得超過每小時0.6公斤之管制方式，務實加嚴並改以個別排放管道VOCs濃度須小於14 ppm、酸氣（硝酸、鹽酸、磷酸、氫氟酸及硫酸）濃度小於0.5 ppm來規範；同時，增訂新設製程VOCs濃度不得大於10 ppm、酸氣濃度不大於0.3 ppm之排放標準，督促新建廠房或新設製程應選擇環境友善或防制效能較佳之設備。藉由排放標準的修訂，預計可減少286公噸VOCs及12公噸酸性氣體排放量，相當於一座煉油廠4個月的排放量。
另外，本標準配合111年6月6日公告「公私場所應定期檢測及申報之固定污染源」，簡化整合空污法涉檢測相關規定，同時針對排放濃度高且易致污染之虞者，規定應設置相關排放監測儀器以強化自主管理，有效減少污染物洩漏排放。
環保署說明，本標準自88年1月6日發布施行，從技術角度切入其製程空氣污染物之管理，已奠定半導體產業空污防制有效管理之基礎，期間雖多次修正調整，惟迄今已屆十餘年未曾檢討修正，面對改變快速的產業特性，確有與時俱進修正必要。經通盤檢討歷年執行實績及面臨問題後，爰針對本標準內容進行務實檢討及修正，提升當前半導體產業空氣污染防制及管理機制；另考量產業特性，本次一併調整「公私場所應定期檢測及申報之固定污染源」檢測期間規範，除落實簡政便民原則，並使半導體產業之空污防制管理更臻完備，創造產業發展與環境保護共利效益。
本辦法修正發布之相關資料請參閱環保署新聞專區下載附加檔案（https://enews.epa.gov.tw/enews/fact_index.asp），或至行政院公報資訊網（網址：https://gazette.nat.gov.tw/egFront/）下載參閱。